MT29F4G08ABADAH4-IT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Winbond · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。Winbond · 封装:VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-48 封装。Winbond · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8,采用 WSON-8 封装。Winbond · 封装:WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WSON-8 封装。Winbond · 封装:SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-16 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。Winbond · 封装:SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-16 封装。Winbond · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8,采用 WSON-8 封装。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。