MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 2 G x 8，采用 TSOP-48 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34MS01G200GHI000
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-67
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-67 封装。W29N08GVBIAA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。W25N01GWZEIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。W29N08GVSIAA
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。S99ML04G10019
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TFBGA-63 封装。MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 WSON-8 封装。TC58CVG0S3HRAIG
Toshiba Memory · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。MT29F2G08ABAGAWP-IT:G TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。S34MS16G202BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34ML08G101TFB000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML08G201BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。