Toshiba Memory
TC58CVG1S3HRAIG
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Toshiba
- 品牌
- Toshiba Memory
- 产品类别
- NAND Flash
- 产品系列
- TC58CV
- 封装
- WSON-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 存储容量
- 2 Gbit
- 接口类型
- SPI
- 存储组织结构
- 256 M x 8
- 电源电压范围
- 2.7～3.6 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 存储器类型
- NAND
- 产品
- NAND Flash
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。