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46,309 条型号记录
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NMP650-H#KK-00

MEAN WELL

主要参数包括通道 1 输出电压 24 VDC、通道 3 输出电压 48 VDC、通道 1 输出电流 10 A、通道 3 输出电流 5 A、通道 4 输出电流 5 A、输入频率 63 Hz。

08EP08-N3GTC32-GA67

Kingston · 封装:FBGA-136

主要参数包括存储容量 8 Gbit, 8 Gbit、接口类型 eMMC 5.1、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 FBGA-136 封装。

32EP16-M4FTC32-GA67

Kingston · 封装:FBGA-144

主要参数包括存储容量 16 Gbit, 32 Gbit、接口类型 eMMC 5.1、类型 eMMC, LPDDR4、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C,采用 FBGA-144 封装。

32EP16-M4FTC32-GA68

Kingston · 封装:FBGA-144

主要参数包括存储容量 16 Gbit, 32 Gbit、接口类型 eMMC 5.1、类型 eMMC, LPDDR4、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾,采用 FBGA-144 封装。

S76HL512TC0BHB000

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 HyperBus、类型 Flash, RAM,采用 BGA-24 封装。

S76HL512TC0BHB003

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 HyperBus、类型 Flash, RAM,采用 BGA-24 封装。

S76HS512TC0BHB010

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括存储容量 64 Mbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 2 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 HyperBus、类型 Flash, RAM、最小工作温度 - 40 C,采用 BGA-24 封装。

S76HS512TC0BHB013

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括存储容量 64 Mbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 2 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 HyperBus、类型 Flash, RAM、最小工作温度 - 40 C,采用 BGA-24 封装。

S78HL512TC0BHB000

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 Flash, RAM、最小工作温度 - 40 C,采用 BGA-24 封装。

S78HL512TC0BHB003

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 Flash, RAM、最小工作温度 - 40 C,采用 BGA-24 封装。

MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109

Micron · 封装:VFBGA-162

主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, LPDDR2,采用 VFBGA-162 封装。

MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J

Micron · 封装:WFBGA-149

主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C,采用 WFBGA-149 封装。

MX63U1GC12HAXMI01-T

Macronix · 封装:BGA-162

主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit, 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, LPDDR2,采用 BGA-162 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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