MT40A256M16GE-075E AAT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS49NLC96400-25BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLS96400-33BL
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC36160-33BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。MT48LC2M32B2P-6A AAT:J
Micron · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS49NLC18160-33BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLS18320-33BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLS18160-25WBLI
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 WBGA-144 封装。IS49NLS93200-25BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS46TR16128A-15HBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS49NLS96400-33BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC36160-33BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。EDB8132B4PB-8D-F-R
Micron · 封装：FBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-168 封装。IS49NLC36800-25EBLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 2.5 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS46TR16128AL-15HBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS49NLS96400-25BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS43TR85120A-15HBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。IS49NLS18160-25BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLS93200-33BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC36160-25EBL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 2.5 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。