Micron
EDB8132B4PB-8D-F-R
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-168 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Micron Technology
- 品牌
- Micron
- 产品类别
- DRAM
- 产品系列
- EDB
- 封装
- FBGA-168
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 类型
- SDRAM Mobile - LPDDR2
- 数据总线宽度
- 32 位
- 存储组织结构
- 256 M x 32
- 存储容量
- 8 Gbit
- 最大时钟频率
- 400 MHz
- 访问时间
- 5.5 ns
- 电源电压范围
- 1.14～1.95 V
- 电源电流（最大值）
- 45 mA
- 工作温度范围
- -30～85 °C
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。