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型号列表

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W25M512JVCIM TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M02GWTBIG TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M02GWTCIG TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M02GWTCIT TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M02GVTBIT TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M02GWTBIT TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M02GVTCIT TR

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M512JWFIQ TR

Winbond · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 SOIC-16 封装。

MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR

Micron · 封装:VFBGA-130

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1,采用 VFBGA-130 封装。

W25M512JVFIM TR

Winbond · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 SOIC-16 封装。

MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR

Micron · 封装:TFBGA-137

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1,采用 TFBGA-137 封装。

W25M512JWFIM TR

Winbond · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 SOIC-16 封装。

W25M512JWCIM

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M512JWBIM

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9

Micron

主要参数包括存储组织结构 16.75 G x 64、数据总线宽度 64 位。

W25M512JVBIM

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

W25M512JVCIM

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。

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