W25M512JWEIM TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录W25M512JWEIQ TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W71NW20GF3FW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz, 533 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C。MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR4 8GW25M512JVEIM TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M02GWZEIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。MT29C4G48MAZBBAKS-48 AT
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/MOBILE DDR 6GW25M02GWZEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U
Micron
Multichip PackagesW25M321AVEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M121AVEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-137
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 VFBGA-137 封装。MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U
Micron
Multichip PackagesW71NW10GC3GW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。W71NW10GE3FW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 400 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C。W25M512JWBIM TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W71NW11GBADW
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit, 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、存储组织结构 64 M x 16, 16 M x 16、数据总线宽度 16 位。W25M512JWBIQ TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M512JWCIM TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M512JVBIM TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。