MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT
Micron · 封装：VFBGA-137
主要参数包括存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 VFBGA-137 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录W25M512JVBIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K
Micron
主要参数包括湿敏性 是。MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2、定时类型 Asynchronous，采用 VFBGA-162 封装。MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
Micron · 封装：WFBGA-121
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 WFBGA-121 封装。MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR
Micron · 封装：BGA-149
主要参数包括存储容量 2 Gbit, 4 Gbit、类型 Multichip Packages、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 BGA-149 封装。MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K
Micron
主要参数包括湿敏性 是。MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
Micron
主要参数包括湿敏性 是。MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-162 封装。MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9 TR
Micron
Multichip Packages 16.75GX64 MCP PLASTIC PBFW25M02GVTBIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。MT29TZZZAD8DKKFB-107 W.9N8
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 544GMT29VZZZ7D8DQFSL-046 W.9J8 TR
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 536GW25M512JVCIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 TR
Micron · 封装：BGA-320
主要参数包括存储容量 512 Mbit、接口类型 Serial、类型 NOR, LPDDR4，采用 BGA-320 封装。MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 TR
Micron
Multichip PackagesW25M161AWEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, NOR Flash、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR
Micron · 封装：WFBGA-149
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR4，采用 WFBGA-149 封装。MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E TR
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 72GMT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y
Micron
Multichip Packages型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。