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Micron

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.14 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2,采用 WFBGA-121 封装。

基本资料

制造商
Micron Technology
品牌
Micron
产品类别
Multichip Packages
产品系列
MT29RZ
封装
WFBGA-121
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
类型
NAND Flash, Mobile LPDDR2
存储容量
1 Gbit, 512 Mbit
最大时钟频率
533 MHz
工作温度范围
-40~85 °C
存储器类型
Flash, LPDDR2
存储组织结构
64 M x 16, 32 M x 16
产品
NAND-Based MCP
速度
533 MHz
接口类型
Parallel
电源电流(最大值)
35 mA
数据总线宽度
16 bit, 16 bit
湿敏性
是
展开更多参数(2 项)
电源电压范围
1.14~3.6 V
定时类型
Asynchronous

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技