DS1314S-2+T&R/C04
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 DS1314S，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS1321E+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 TSSOP-20 封装。DS1321S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。DS1321S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR
Micron · 封装：VFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 GB, 4 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 eMMC, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-168 封装。W25M02GVZEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M02GVZEIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M512JVEIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M02GVZEIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 VFBGA-130 封装。MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、存储器类型 Flash, LPDDR1，采用 VFBGA-130 封装。MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR
Micron · 封装：TFBGA-137
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 TFBGA-137 封装。MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 VFBGA-130 封装。MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-130 封装。MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR
Micron · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 WFBGA-168 封装。W25M02GWZEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M02GWZEIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。S71KL256SC0BHB000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR，采用 FBGA-24 封装。MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-162 封装。S71KL512SC0BHV000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR，采用 FBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。