Analog Devices / Maxim Integrated
DS1321S+T&R
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices / Maxim Integrated
- 产品类别
- 存储器
- 产品系列
- DS1321S
- 封装
- SOIC-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
12 项参数- 存储器类型
- Nonvolatile SRAM
- 备用电池切换
- 是
- 电源电压范围
- 4.75～5.5 V
- 工作电源电流
- 50 uA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 美国
- 描述与功能
- Converts Full CMOS SRAMs into Nonvolatile Memories
- 锂电池监测
- 是
- 存储通道数
- 4 个通道
- 类型
- Non-Volatile SRAM (NVSRAM)
- 型号别名
- DS1321S 90-1321S+T16
- 单件重量
- 0.007079 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。