PM8651A1-FEI
Microchip Technology · 封装：Nonstandard
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 8 个通道、存储器类型 Dynamic RAM - DRAM、商品名称 Flashtec，采用 Nonstandard 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS1312+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 PDIP-8 封装。DS1314E+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 TSSOP-20 封装。DS1314S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。DS1314S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。DS1314S-2+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。DS1314S-2+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。MXD1210CPA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 PDIP-8 封装。MXD1210CSA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。MXD1210CSA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。MXD1210CWE+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-Wide-16 封装。MXD1210EPA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 PDIP-8 封装。MXD1210ESA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。MXD1210ESA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。MXD1210EWE+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1312S-2+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。DS1312S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。DS1312S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。DS1312S-2+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。DS1314E+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。