Analog Devices / Maxim Integrated
DS1314E+T&R
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 TSSOP-20 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices / Maxim Integrated
- 产品类别
- 存储器
- 产品系列
- DS1314E
- 封装
- TSSOP-20
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
12 项参数- 存储器类型
- Nonvolatile SRAM
- 备用电池切换
- 是
- 电源电压范围
- 3～3.6 V
- 工作电源电流
- 30 uA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 美国
- 描述与功能
- Converts CMOS SRAM into nonvolatile memory
- 锂电池监测
- 是
- 存储通道数
- 1 个通道
- 类型
- Non-Volatile SRAM (NVSRAM)
- 型号别名
- DS1314E 90-1314E+T20
- 单件重量
- 0.006737 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。