CY7C68023-56LTXC
Cypress Semiconductor · 封装：QFN-56
该型号为存储器，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是、商品名称 EZ-USB NX2LP-Flex、单件重量 0.006751 oz，采用 QFN-56 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS1312S-2+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-8 封装。DS1314E+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 TSSOP-20 封装。BQ2201SN-N
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、存储器类型 Nonvolatile SRAM，采用 SOIC-8 封装。89HF16P04G2ZAAL
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF16P04G2ZAAL。89HF32P08G2ZCBL
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF32P08G2ZCBL。89HF32P08G2ZCBLG
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF32P08G2ZCBLG。89HF16P04G2ZCALG
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF16P04G2ZCALG。89HF16P04G2ZBALG
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF16P04G2ZBALG。PM8607B-F3EIP
Microchip / Microsemi
该型号为存储器。89HF32P08G2ZBBLG
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF32P08G2ZBBLG。CY7C68023-56LTXCT
Cypress Semiconductor
该型号为存储器，主要参数包括湿敏性 是、商品名称 EZ-USB NX2LP-Flex。4DB0226KA3AVG
IDT
该型号为存储器，主要参数包括湿敏性 是。4DB0226KA3AVG8
IDT
该型号为存储器，主要参数包括湿敏性 是。DS1314E+T&R
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 TSSOP-20 封装。BQ2205LYPWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为存储器，主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、工作温度范围 - 20 C to + 70 C、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.15 mm、长度 5 mm，采用 TSSOP-16 封装。DS1312S-2+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-8 封装。DS1314S-2+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-8 封装。BQ2201SN-NTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括工作电源电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.002677 oz，采用 SOIC-8 封装。BU9348K
ROHM Semiconductor · 封装：QFP-44
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Dynamic RAM - DRAM、类型 Dynamic RAM (DRAM)、备用电池切换 否、工作电源电流 8.9 mA，采用 QFP-44 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。