Texas Instruments
BQ2201SN-N
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、存储器类型 Nonvolatile SRAM，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- 存储器
- 产品系列
- BQ2201
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 存储器类型
- Nonvolatile SRAM
- 备用电池切换
- 是
- 电源电压范围
- 4.5～5.5 V
- 工作电源电流
- 3 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 描述与功能
- SRAM nonvolatile controller unit
- 工作温度范围
- - 40 C to + 85 C
- 类型
- Non-Volatile SRAM (NVSRAM)
- 锂电池监测
- 是
- 存储通道数
- 1
- 工作电源电压
- 5 V
- 单件重量
- 0.002677 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。