EM128LXQADG13IS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录EMD3D256M08G1-150CBSCF
Everspin Technologies · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、存储组织结构 32 M x 8，采用 BGA-78 封装。EMD4E001G16G2-150CAS2
Everspin Technologies · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、访问时间 18 ns，采用 FBGA-96 封装。EMD4E001G16G2-150CAS2R
Everspin Technologies · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、访问时间 18 ns，采用 FBGA-96 封装。MR1A16ACMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR1A16ACMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR1A16ACYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。EM008LXQAB313IS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQBDH13CS2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM016LXQAB313CS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQAB313IS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQAB313IS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQADG13CS1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM016LXQADG13CS1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM016LXQBB313IS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQBB313IS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQBDH13CS1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。MR1A16AMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR3A16AMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR3A16AMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。