EM128LXQAB313ES2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录EM128LXQADG13CS1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13CS1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13CS2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13CS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13ES2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13HS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 16 M x 9、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13IS1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13IS1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXQADG13IS2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 DFN-8 封装。EMD3D256M16G2-150CBSCF
Everspin Technologies · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、存储组织结构 16 M x 16，采用 BGA-78 封装。MR1A16AMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR1A16AMYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。MR1A16AMYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。MR1A16AVMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR1A16AVMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR1A16AVYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。MR1A16AVYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。MR1A16AYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。MR1A16AYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-44
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-44 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。