CY15E016Q-SXET
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录CY15B104Q-PZXI
Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 Excelon。CY15B104Q-LHXI
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SPI, SDI、类型 Synchronous，采用 TDFN-8 封装。FM24V01A-GTR
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。CY15B104Q-LHXIT
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 Excelon。CY15B104Q-SXI
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B102Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B064Q-SXET
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15V104QSN-108SXI
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.71～1.89 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B102QN-50SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B104QI-20LPXC
Cypress Semiconductor · 封装：GQFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 GQFN-8 封装。CY15B102Q-SXET
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B104QN-50SXA
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15V104QSN-108LPXI
Cypress Semiconductor · 封装：GQFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.71～1.89 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 GQFN-8 封装。MR45V200BRAZAARL
ROHM Semiconductor · 封装：DIP-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 DIP-8 封装。CY15B104QSN-108LPXI
Cypress Semiconductor · 封装：GQFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 GQFN-8 封装。CY15V104QN-50SXI
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.71～1.89 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM28V020-T28GTR
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-28 封装。CY15V108QI-20LPXI
Cypress Semiconductor · 封装：GQFN-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.71～1.89 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1024 k x 8，采用 GQFN-8 封装。CY15B064J-SXAT
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。