ROHM Semiconductor
MR45V200BRAZAARL
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 DIP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- F-RAM
- 封装
- DIP-8
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 存储容量
- 2 Mbit
- 接口类型
- SPI
- 存储组织结构
- 256 k x 8
- 电源电压范围
- 2.7～3.6 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 工作电源电压
- 2.7～3.6 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。