AS4C64M16D1-6TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 2.7 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-66 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT40A1G16TD-062E:FTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。MT40A1G8AG-062E:R
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。MT40A2G8AG-062E:F
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。MT40A512M16TD-062E:R
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。MT40A512M16TD-062E:R TR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。MT42L128M32D1TJ-25 IT:A
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.3 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。MT42L128M32D1TJ-25 IT:ATR
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.3 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Alliance Memory · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT48LC8M16A2P-6A XIT:L
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。APS51208N-OBR-BD
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS51208N-OCH-BD
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS512XXN-OB9-BG
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。APS512XXN-OBR-BG
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。APS6404L-3SQN-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS6404L-3SQN-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS6404L-3SQR-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz/84 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS6404L-3SQR-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz/84 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS6404L-3SQRX-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz/84 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。