AP Memory
APS256XXN-OBX9-BG
主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- AP Memory Technology
- 品牌
- AP Memory
- 产品类别
- DRAM
- 产品系列
- IoT RAM
- 封装
- BGA-24
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
8 项参数- 类型
- PSRAM (Pseudo SRAM)
- 存储容量
- 256 Mbit
- 数据总线宽度
- 8 bit / 16 bit
- 最大时钟频率
- 250 MHz
- 存储组织结构
- 32 M x 8/16 M x 16
- 电源电压范围
- 1.62～1.98 V
- 工作温度范围
- -40～105 °C
- 原产国家或地区
- 中国台湾
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。