APS1604M-3SQR-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录APS1604M-SQ-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS1604M-SQ-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS1604M-SQQ-RB
AP Memory · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 位，采用 WLCSP-8 封装。APS1604M-SQQ-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 位，采用 SOP-8 封装。APS1604M-SQQ-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 位，采用 USON-8 封装。SQR-LD4N64G2K6HRAE
Advantech
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。SQR-SD4N8G3K2SNBCB
Advantech
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。AS4C1G16D4-062BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C1G16D4-062BIN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。AS4C1G16D4A-62BCN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AS4C1G16D4A-62BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。AS4C1G16MD4V-046BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C1G32MD4V-046BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C1G8D3LA-10BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C1G8D3LA-10BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C1G8D4A-62BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C1G8D4A-62BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C1G8D4B-62BCN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AS4C256M16D3C-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。