AP Memory
APS1604M-3SQR-ZR
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- AP Memory Technology
- 品牌
- AP Memory
- 产品类别
- DRAM
- 产品系列
- IoT RAM
- 封装
- USON-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
11 项参数- 类型
- PSRAM (Pseudo SRAM)
- 存储容量
- 16 Mbit
- 数据总线宽度
- 4 bit / 1 bit
- 最大时钟频率
- 133 MHz/84 MHz
- 存储组织结构
- 2 M x 8
- 电源电压范围
- 2.7～3.6 V
- 工作温度范围
- -25～85 °C
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 湿敏性
- 是
- 商品名称
- APMemory
- 单件重量
- 0.000317 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。