IS45S32400J-7TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录IS45S32400J-7TLA2
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS45S32400J-7TLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS45S32800J-7TLA2
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS45S32800L-6BLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS45S32800L-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS45S32800L-6TLA1
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS45S32800L-6TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS45S32800L-7BLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS45S32800L-7BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS45S32800L-7TLA1
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS45S32800L-7TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS46DR16128C-25DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。IS66WVH8M8DBLL-100B1LI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH8M8DALL-200B1LI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH64M8DBLL-166B1LI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH32M8DALL-166B1LI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括访问时间 36 ns、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。