D2516ECMDXGJDI-U
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录D2516ECMDXGMEY-U
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。D5116AN9CXGRK-U
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。D5116AN9CXGXN-U
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。3200-MEM-UG-C
Amphenol ProLabs
主要参数包括型号别名 28973377、单件重量 8 oz。KTDM2G3C618BGCEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM2G3C618BGIEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM2G3C818BGCEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM2G3C818BGIEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM8G4B632BGCBCT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM4G3C618BGCEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM4G3C618BGIEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM4G3C818BGCEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM4G3C818BGIEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM4G4B626BGCEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM4G4B626BGIEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。KTDM4G4B826BGCEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM4G4B826BGIEAT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM8G4B832BGCBCT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。KTDM8G4B832BGIBCT
SMARTsemi · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。