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SMARTsemi

KTDM2G3C618BGCEAT

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-96 封装。

基本资料

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制造商
SMART
品牌
SMARTsemi
产品类别
DRAM
产品系列
KTDM
封装
FBGA-96
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
托盘

技术参数

9 项参数
类型
SDRAM - DDR3L
存储容量
2 Gbit
数据总线宽度
16 位
最大时钟频率
933 MHz
存储组织结构
128 M x 16
电源电压范围
1.283~1.575 V
工作温度范围
0~85 °C
原产国家或地区
中国台湾
湿敏性
是

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

KTDM2G3C618BGCEAT 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技