W979H6KBVX1I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E128M16D1DS-046 AAT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W979H6KBVX2E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H2KBVX1E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H6KBVX1E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H2KBVX2E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。MT41K1G4DA-107:P TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。W978H6KBVX1I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H2KBVX1I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H6KBVX2I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H2KBVX2I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H6KBVX1E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H6KBVX2E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H2KBVX2E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H2KBVX1E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W63CH6MBVABE TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16、最小工作温度 - 20 C。S27KS0641DPBHA023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperRAM。W632GU6NB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W632GG6NB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W632GU6NB15I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。