AS4C64M8D3-12BCN
Alliance Memory
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录IS43TR16128DL-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C32M32MD2A-25BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C128M8D3B-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43TR16128D-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS66WVH8M8BLL-100B1LI
ISSI · 封装：TFGBA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、存储组织结构 8 M x 8，采用 TFGBA-24 封装。IS43TR16128DL-107MBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C8M32MSA-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。AS4C128M8D3B-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C32M16D3-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C8M32MD2A-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C64M32MD2A-25BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。S27KL0641DABHV020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、商品名称 HyperRAM、单件重量 0.021164 oz。IS42S32400F-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-86 封装。MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K128M16JT-125 AIT:K TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS42VM32160E-75BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。IS42S32800J-6BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS42S16320F-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。