ISSI
IS66WVH8M8BLL-100B1LI
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、存储组织结构 8 M x 8，采用 TFGBA-24 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ISSI
- 产品类别
- DRAM
- 产品系列
- IS66WVH8M8BLL
- 封装
- TFGBA-24
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 类型
- HyperRAM
- 存储组织结构
- 8 M x 8
- 存储容量
- 64 Mbit
- 最大时钟频率
- 100 MHz
- 访问时间
- 40 ns
- 电源电压范围
- 2.7～3.6 V
- 电源电流（最大值）
- 35 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 湿敏性
- 是
- 商品名称
- HyperRAM
- 单件重量
- 0.002963 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。