GD55LB01GEYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD55LB01GEYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。GD55LB01GFBIRY
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GFFIRR
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GFFJRY
GigaDevice
NOR FlashGD55LB02GEB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55LF01GFB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55LF01GFFIRR
GigaDevice
NOR FlashGD55LF02GFB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55LF02GFBIRR
GigaDevice
NOR FlashGD55LF511MEWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。GD55LT01GEB2RY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-24 封装。GD55LT01GEBARY
GigaDevice
NOR FlashGD55LT01GEBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-24 封装。GD55LT01GEF2RR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。GD55LT01GEFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。GD55LT01GEY2GY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD55LT02GEB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55LT02GEBARY
GigaDevice
NOR FlashGD55LT02GEBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。