GD25LR512MFFIRR
GigaDevice
NOR Flash按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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NOR FlashGigaDevice
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主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 40 mA,采用 TFBGA-24 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8,采用 SOP-16 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8,采用 WSON-8 封装。GigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 25 mA,采用 WSON-8 封装。GigaDevice · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 25 mA,采用 TFBGA-24 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 25 mA,采用 USON-8 封装。GigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8,采用 USON-8 封装。GigaDevice
NOR Flash型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。