ChipSourceHub 美芯科技

GigaDevice

GD25Q32EEJGR

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8,采用 USON-8 封装。

基本资料

品牌 / 制造商
GigaDevice
产品类别
NOR Flash
封装
USON-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘

技术参数

7 项参数
存储容量
32 Mbit
电源电压(最小值)
2.7
电源电压(最大值)
3.6 V
接口类型
SPI
最大时钟频率
133 MHz
存储组织结构
4 M x 8
工作温度范围
-40~105 °C

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GD25Q32EEJGR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技