GD25LE64E3IGR
GigaDevice · 封装：WLCSP-26
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WLCSP-26 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25LE64ELIGR
GigaDevice · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 15 mA，采用 WLCSP-8 封装。GD25LE64ENEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LE64ENIG
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25LE64ENIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25LE64EQIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25LE64ESIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25LE64ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25LE64ESIGY
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25LE64ETIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LE64EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD25LE64EXEEGR
GigaDevice · 封装：FO-USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 FO-USON-8 封装。GD25LE80CLIGR
GigaDevice · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2.1 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 WLCSP-8 封装。GD25LE80EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 USON-8 封装。GD25LE80ELIGR
GigaDevice · 封装：WLCSP-32
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 WLCSP-32 封装。GD25LE80ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 SOP-8 封装。GD25LE80ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 SOP-8 封装。GD25LF128EQEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LF16EE2GR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25LF16EEEGR
GigaDevice
NOR Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。