ChipSourceHub 美芯科技

GigaDevice

GD25LE80ETIGR

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8,采用 SOP-8 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
GigaDevice
产品类别
NOR Flash
封装
SOP-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘

技术参数

7 项参数
存储容量
8 Mbit
电源电压范围
1.65~2 V
接口类型
SPI
最大时钟频率
133 MHz
存储组织结构
1 M x 8
工作温度范围
-40~85 °C
速度
133 MHz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GD25LE80ETIGR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技