MT40A2G8FSE-083E:A
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括商品名称 TwinDie，采用 FBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT52L4DAGN-DC TR
Micron · 封装：FBGA-256
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR3，采用 FBGA-256 封装。MT53B4DCNK-DC
Micron
DRAMMT44K16M36RB-093F:B TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 BGA-168 封装。MT52L1DAPF-DC
Micron
DRAM LPDDR3 8GMT49H32M18CSJ-18:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 FBGA-144 封装。MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT40A1G16KNR-062E:E TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M8SA-062E AIT:F
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。W63CH2MBVABE TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 20 C。MT47H256M4SH-25E:M TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 256 M x 4，采用 FBGA-60 封装。MT53B256M32D1TG-062 XT:C
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。W9812G2KB-6 TR
Winbond · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。EDF4432ACPE-GD-F-D
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C。W9425G6JB-5I TR
Winbond · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-60 封装。W632GU6NB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W956D6KBKX7I TR
Winbond · 封装：WFBGA-49
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-49 封装。W94AD6KBHX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT46V32M16P-5B AIT:J TR
Micron · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。W632GU6NB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。