LTV-217-A-V-G
LITEON · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 20 mA，采用 SSOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录LTV-217-C-G
LITEON · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SSOP-4 封装。LTV-217-D-G
LITEON · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 20 mA，采用 SSOP-4 封装。LTV-217-G
LITEON · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SSOP-4 封装。DPC817D-X-TU-V
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-A-TU-V
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-B-TU
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-B-TU-V
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-C-TU
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-C-TU-V
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-X-TU
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-Y-TU
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 150 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817D-Y-TU-V
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 150 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC817L-A-TR
Diodes Incorporated · 封装：SLM-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 5 mA，采用 SLM-4 封装。TLP294-4(TP,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 700 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SO-16 封装。DPC817D-A-TU
Diodes Incorporated · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 5 mA，采用 DIP-4 封装。DPC816W-C-TU
Diodes Incorporated · 封装：MDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 5 mA，采用 MDIP-4 封装。DPC816W-B-TU-V
Diodes Incorporated · 封装：MDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 5 mA，采用 MDIP-4 封装。DPC816W-Y-TU
Diodes Incorporated · 封装：MDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 150 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 5 mA，采用 MDIP-4 封装。DPC1012S-TR-V
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 63 %、电流传输比（最大值） 125 %、正向电流（If） 10 mA，采用 LSOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。