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Toshiba

TLP294-4(TP,E

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比(最小值) 100 %、电流传输比(最大值) 700 %、正向电流(If) 50 mA,采用 SO-16 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
晶体管
封装
SO-16
安装方式
通孔安装
包装方式
剪切带

技术参数

17 项参数
通道数
4 个通道
隔离电压
3750 Vrms
输出类型
Phototransistor
电流传输比(最小值)
100 %
电流传输比(最大值)
700 %
正向电流(If)
50 mA
正向电压(Vf)
1.2 V
最大集电极-发射极电压
80 V
最大集电极电流
50 mA
最大集电极-发射极饱和电压
300 mV
上升时间
2 us
下降时间
3 us
展开更多参数(5 项)
反向电压(Vr)
5 V
耗散功率(Pd)
170 mW
工作温度范围
-55~125 °C
配置
4 个通道
原产国家或地区
TH

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TLP294-4(TP,E 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技