TLP620(GR,F)
Toshiba · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP290(TP,E)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。TLP290(V4GB-TP,E
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms。PS2705-1-F4-L-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms。TLP291(GR,E)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms。PS2801-1-F3-Y-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2506L-1-E3-A
Renesas Electronics · 封装：Lead Bending Type
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 Lead Bending Type 封装。TLP781(D4GRH-TP6,F
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括隔离电压 5000 Vrms。PS2811-1-H-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2801C-1-V-P-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Transistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。TLP620-4(D4-GB,F)
Toshiba · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 封装。TLP781(GR-LF6,F)
Toshiba · 封装：SMD/SMT
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD/SMT 封装。4N47A
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms。PS2861B-1Y-V-F3A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。TLP291(GR-TP,E)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms。H11B255
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 13.157188 oz。PS2801-1-F4-L-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。TLP626(TP1,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。PS2701-1-K-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。TLP781(D4-Y-TP6F)
Toshiba · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。