Toshiba
TLP291(GR-TP,E)
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- TLP291
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 50 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 80 V
- 最大集电极电流
- 50 mA
- 隔离电压
- 3750 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.3 V
- 正向电压（Vf）
- 1.4 V
- 反向电压（Vr）
- 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 工作温度范围
- -55～110 °C
- 高度
- 2.1 V
展开更多参数（5 项）
- 长度
- 2.6 V
- 宽度
- 4.55 V
- 电流传输比
- 300 %
- 下降时间
- 7 us
- 上升时间
- 4 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。