EL827S1(TA)
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录EL847S-V
Everlight
该型号为晶体管。4N35S(TA)
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、湿敏性 是。EL817(S)(C)(TU)
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。EL3H7(C)(TA)-VG
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。EL817(B)-VG
Everlight · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。CNY17-1M
Everlight · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 DIP-6 封装。4N35-V
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。4N29
Everlight · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 nA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。EL1018(TA)-VG
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、湿敏性 是、单件重量 3.209931 oz。EL817(C)-V
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。CNY17-4M
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 7500 Vrms。PS2505L-1-A
Renesas Electronics · 封装：SMD-PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-PDIP-4 封装。EL814
Everlight · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 DIP-4 封装。PS2801C-1-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 2500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SSOP-4 封装。VOS618A-3T
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。ELD207(TA)-V
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。EL3H7(B)(TA)-VG
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。PS2505-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2801-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。