Everlight
EL814
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 DIP-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Everlight
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- DIP-4
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 60 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 80 V
- 隔离电压
- 5000 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.2 V
- 正向电压（Vf）
- 1.4 V
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 工作温度范围
- -55～110 °C
- 配置
- 1 个通道
- 长度
- 6.5 mm
- 宽度
- 4.58 mm
展开更多参数（3 项）
- 电流传输比
- 300 %
- 下降时间
- 18 us
- 上升时间
- 18 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。