FOD2743BTV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SFH620A-3X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。MOC8101-X017T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。PS2705-1-L-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。CNY171VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-6 封装。SFH6106-5T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。VO615A-3X007T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 SFH615A-3X007T。LDA200S
IXYS Integrated Circuits · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 800 mW、高度 3.302 mm、长度 9.652 mm、宽度 6.35 mm、商品名称 Clare，采用 SMD-DIP-8 封装。LDA110
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。H11AG1SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。H11AA4TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。CNY172SVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SMD-DIP-6 封装。TCDT1124G
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 90 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。VO617A-3
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 DIP-4 封装。ILQ621GB-X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILQ2-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。6N136-X019T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。TIL113SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。CNY174SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SMD-DIP-6 封装。TLP785(GR,F)
Toshiba · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。