ON Semiconductor / Fairchild
H11AG1SR2M
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- H11AG1M
- 封装
- SMD-DIP-6
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 50 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 30 V
- 最大集电极电流
- 50 mA
- 隔离电压
- 7500 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.4 V
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 260 mW
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 配置
- 1 个通道
展开更多参数（4 项）
- 高度
- 3.53 mm
- 长度
- 8.89 mm
- 宽度
- 6.6 mm
- 单件重量
- 0.028572 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。