TLP291(GR-TP,SE
Toshiba
该型号为晶体管。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录CNY17-4S
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。SFH6156-4X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。MOC217R2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。4N37SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。ILQ30
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 封装。4N30M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。SFH619A-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。4N28M
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。SFH617A-3X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。PS2801A-1-A
Renesas Electronics · 封装：SOP
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP 封装。VOD205T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 4000 Vrms、单件重量 0.011288 oz，采用 SOIC-8 封装。4N26SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY172VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-6 封装。K827PH
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。CNY17G-3
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 PDIP-6 封装。FOD8523S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMT-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMT-4 封装。LDA100
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。FOD2742BR2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。CNY173VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。