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ON Semiconductor / Fairchild

4N37SM

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V,采用 SMD-DIP-6 封装。

基本资料

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制造商
ON Semiconductor
品牌
ON Semiconductor / Fairchild
产品类别
晶体管
产品系列
4N37M
封装
SMD-DIP-6
包装方式
散装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
输出类型
NPN Phototransistor
通道数
1 个通道
正向电流(If)
60 mA
最大集电极-发射极电压
30 V
隔离电压
7500 Vrms
最大集电极-发射极饱和电压
0.3 V
正向电压(Vf)
1.5 V
反向电压(Vr)
6 V
耗散功率(Pd)
150 mW
工作温度范围
-40~100 °C
配置
1 个通道
高度
3.53 mm
展开更多参数(3 项)
长度
8.89 mm
宽度
6.6 mm
单件重量
0.028572 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

4N37SM 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技