SFH6186-3X001
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录IL216AT
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 4000 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。ILD211T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 4000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOIC-8 封装。SFH608-3X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。MCT6-X009T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。SFH608-5X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ILD1206T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 4000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SFH601-3X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 100 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。SFH6286-3X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。SFH608-3X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。PS2562L1-1-K-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管。SFH608-3X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 封装。PS2562-1-V-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms。MCT6-X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。SFH608-5
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-6 封装。FOD2712AV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。TCET2100
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。TCET2200
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-8 封装。SFH6206-2X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。SFH620A-2X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。