Vishay Semiconductors
ILD211T
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 4000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 2 个通道
- 正向电流（If）
- 30 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 70 V
- 隔离电压
- 4000 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.4 V
- 正向电压（Vf）
- 1.55 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
- 工作温度范围
- -55～100 °C
- 配置
- 2 个通道
- 高度
- 3.38 mm
展开更多参数（3 项）
- 长度
- 5.84 mm
- 宽度
- 3.91 mm
- 集电极－发射极击穿电压
- 70 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。