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隔离与光耦

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FODM121GR4

ON Semiconductor · 封装：Mini-Flat-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 Mini-Flat-4 封装。
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FODM1008R4V

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。
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PC81710NIP1B

Sharp Microelectronics · 封装：DIP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 5 V、最大集电极电流 3 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。
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MOC8021SM

ON Semiconductor · 封装：DIP-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 50 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 4170 Vrms、正向电压（Vf） 1.18 V，采用 DIP-6 封装。
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FODM217AV

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217CR2V

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217BR2V

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217DV

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217AR2V

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217BV

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217CV

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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FODM217DR2V

ON Semiconductor · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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PC817X3NIP1B

Sharp Microelectronics · 封装：SMD-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。
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TLP388(GB-TPL,E

Toshiba · 封装：SO6-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。
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TLP388(D4-TPL,E

Toshiba · 封装：SO6-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。
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TLP388(D4GB-TL,E

Toshiba · 封装：SO6-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。
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FODM217AR2

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。
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FODM1008R2

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。
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TLP387(TPR,E

Toshiba · 封装：SO-6-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。
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TLP388(TPR,E

Toshiba · 封装：SO6-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。
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