Sharp Microelectronics
PC81710NIP1B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 5 V、最大集电极电流 3 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。
基本资料
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- Sharp Microelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- DIP-4
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 输出类型
- Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 5 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 5 V
- 最大集电极电流
- 3 mA
- 隔离电压
- 5000 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.2 V
- 正向电压（Vf）
- 1.2 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 15 mW
- 工作温度范围
- -30～100 °C
- 配置
- 1 个通道
展开更多参数（2 项）
- 下降时间
- 3 us
- 上升时间
- 4 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。